參數(shù)資料
型號： IXGP4N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
中文描述： 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXGP4N100
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
IXGB75N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP50N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP50N60B4 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs
IXGP50N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP70N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP7N60B 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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