參數(shù)資料
型號： IXGP4N100
廠商： IXYS CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： ADVANCED TECHNICAL INFORMATION
中文描述： 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, TO-220AB
封裝： TO-220AB, 3 PIN
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 116K
代理商： IXGP4N100
!""#$
%&'()&)*+
%&')-&-/+
%&'',&,-.
%&*(,&'%%
)&-,/&)-'
)&-(%&/*.
)&-%*&*.,
)&-.(&(-/
)&,'/&,,/
)&+(/&%',
)&%'.&/,)
)&(',&-+)
!"#$%&"!$!$&#$%$!$'
&'()
!
"!
#
#
$
!!
!
$
$$
"
!
$
$$
!$
!
"
!$
$
$
"
%
%
%
%
%
&
$
$"$
!
$
!
"!
$$
$
"
"
"
$
"
!
0$
,1
+1
%1
(1
&'',
-
"
(
>
A
&
==
B
&(&
C
$<D
C
C
.
.
.
&*
*
&'
&(
'
!
/
)8
/
*
!
)8
/
)8
&
E3-
6.
E3-
%0
1'2
#
#
#)%7F >1
%
1
))%=
%)G
%#
%0
13'2
#
#
#)%7F>1))%=
%
1
%)G
%#
$
:) % ))
相關PDF資料
PDF描述
IXGA7N60CD1 HiPerFAST IGBT with Diode(VCES為600V，VCE(sat)為2.0V的HiPerFAST絕緣柵雙極晶體管（帶二極管）)
IXGA8N100 IXGA8N100
IXGP8N100 IXGA8N100
IXGB75N60BD1 HiPerFAST IGBT with Diode
IXGE200N60B HiPerFAST IGBT
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
IXGP50N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶體管 50 Amps 330V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP50N60B4 制造商:IXYS 制造商全稱:IXYS Corporation 功能描述:High-Gain IGBTs
IXGP50N60C4 功能描述:IGBT 模塊 High Gain IGBTs RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
IXGP70N33TBM-A 功能描述:IGBT 晶體管 G-series A,B,C RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
IXGP7N60B 功能描述:IGBT 晶體管 14 Amps 600V 2.0 Rds RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*