參數(shù)資料
型號： IS66WVD409616ALL-7010BLI
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54
封裝： 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
文件頁數(shù)： 42/52頁
文件大?。?/td> 1128K
代理商： IS66WVD409616ALL-7010BLI
IS66WVD409616ALL
Advanced Information
47
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
VALID
ADDRESS
VALID
ADDRESS
t
SP tHD
t
KOH
t
ACLK
t
CEM
t
HD
t
OE
t
OLZ
t
KW
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
VALID
OUTPUT
t
ABA
t
WZ
HiZ
t
KW
t
OHZ
Figure 32: Burst WRITE followed by Burst READ
Address
ADQ0-
ADQ15
ADV#
CE#
UB#/LB#
WAIT
WE#
OE#
CLK
Notes:
1. Non-default BCR settings for burst WRITE followed by burst READ; latency code two (three clocks);
WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. A refresh opportunity must be provided every tCEM by taking CE# HIGH.
tCLK
VALID
ADDRESS
t
KW
VALID
ADDRESS
t
SP
t
HD
t
HD
t
CEM
t
CSP
t
SP
t
KW
DATA INDATA IN
DATA IN
t
CBPH
HiZ
t
SP
t
HD
t
SP
t
AS
t
AS
t
HD
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