參數(shù)資料
型號(hào)： IS66WVD409616ALL-7010BLI
元件分類： SRAM
英文描述： 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54
封裝： 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54
文件頁(yè)數(shù)： 39/52頁(yè)
文件大?。?/td> 1128K
代理商： IS66WVD409616ALL-7010BLI
IS66WVD409616ALL
Advanced Information
44
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
Figure 29: Four-Word Burst WRITE Operation – Variable Latency
Write Burst Identified (WE#=LOW)
Notes:
1. Non-default BCR settings for burst WRITE operation, with fixed-length burst of 4, burst wrap enabled:
Variable latency; latency code two (three clocks); WAIT active LOW; WAIT asserted during delay.
2. WAIT asserts for LC cycles for both fixed and variable latency. LC = latency code (BCR[13:11]).
3. tAS required if tCSP > 20ns.
Address
ADQ0-
ADQ15
ADV#
CE#
UB#/LB#
WAIT
WE#
CLK
NOTE3
tCLK
VALID
ADDRESS
t
KW
VALID
ADDRESS
t
SP
t
HD
t
HD
t
CEM
t
CSP
t
HD
t
SP
t
HD
t
KW
DATA IN
t
CBPH
HiZ
t
SP
t
HD
t
SP
t
AS
t
AS
t
HD
NOTE2
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