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參數資料
| 型號： | IS66WVD409616ALL-7010BLI |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA54 |
| 封裝： | 8 X 6 MM, MO-207, VFBGA-54 |
| 文件頁數： | 27/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 1128K |
| 代理商： | IS66WVD409616ALL-7010BLI |
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IS66WVD409616ALL
Advanced Information
33
Rev.00A | January 2010
www.issi.com - SRAM@issi.com
Table18 . Burst WRITE Cycle Timing Requirements
Symbol
Parameter
-7013
-7010
-7008
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
tAS
Address and ADV# LOW Setup
Time
0
ns
1
tCBPH
CE# High between Subsequent
Burst or Mixed-Mode Operations
5
6
ns
2
tCEM
Maximum CE# Pulse width
4
us
2
tCLK
CLK Period
7.5
9.62
12.5
ns
tCSP
CE# Setup Time to Active CLK
Edge
2.5
3
4
ns
tHD
Hold Time from Active CLK Edge
2
ns
tKH/tKL
CLK HIGH or LOW Time
3
4
ns
tKW
CLK to WAIT Valid
5.5
7
9
ns
3
tSP
Setup time to Active CLK Edge
2
3
ns
tT
CLK Rise or Fall Time
1.2
1.6
1.8
ns
tWZ
CE# high to WAIT High-Z
7
ns
4
Notes:
1. tAS required if tCSP > 20ns.
2. A refresh opportunity must be provided every tCEM by taking CE# HIGH.
3. tKW value for -7013 is for variable LC = 4 and fixed LC = 8 only. For other LC settings, this
parameter will be 7ns for -7013 devices.
4. Low-Z to High-Z timings are tested with the circuit shown in Figure 16.
The High-Z timings measure a 100mV transition from either VOH or VOL toward VDDQ/2.
Symbol
Parameter
-70
Unit
Notes
Min
Max
tDPD
Time from DPD entry to DPD exit
150
us
tDPDX
CE# LOW time to exit DPD
70
ns
tPU
Initialization Period (required before normal operations)
150
us
Table19 . Initialization and DPD Timing Requirements
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS80C32-20PL | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-20PQ | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-20W | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-24PL | 8-BIT MICROCONTROLLER |
| IS80C32-24PLI | 8-BIT MICROCONTROLLER |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IS66WVE1M16ALL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16ALL-70BLI | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:1.8V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16BLL | 制造商:ISSI 制造商全稱:Integrated Silicon Solution, Inc 功能描述:3.0V Core Async/Page PSRAM |
| IS66WVE1M16BLL-55BLI | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| IS66WVE1M16BLL-55BLI-TR | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 16Mb 1M x 16 55ns Pseudo 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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