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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32800B-5BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 37/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 507K |
| 代理商： | IS43R32800B-5BL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
7
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
CurrentState /CS/RAS/CAS/WE AddressC ommand
Action
Notes
IDLE
HX
XX
XD ES EL
NO P
LH
HH
XN OP
NO P
LH
HL
BA
TERMILLE GAL
2
LH
LX
BA ,C A, A8
RE AD /WRITE
ILLEGAL
2
LL
HH
BA ,R AA CT
Bank Active,L atch RA
LL
HL
BA ,A 8PRE /PRE AN OP
4
LL
LH
XR EF AA uto-Refresh
LL
Op-C ode, Mode-
Add
MR SM odeRegisterSet
5
ROWA CT IV EH
XX
DE SE LN OP
LH
HH
XNOP
NO P
LH
HL
BA
TER MI LLEGA L
LH
BA ,C A, A8
RE AD /READA
BeginRead,L atch CA ,Determine
Auto-Precharge
LH
LL
BA ,C A, A8
WR ITE/ WR ITEA
BeginWrite,L atch CA ,Determine
Auto-Precharge
LL
HH
BA ,R AA CT
Bank Active /ILLEG AL
2
LL
HL
BA ,A 8PRE /PRE AP recharge /PrechargeAll
LL
LH
XR EF AI LLE GA L
LL
Op-C ode, Mode-
Add
MR SI LLE GA L
HX
XX
XD ES EL
NOP (C ontinueBursttoEND)
LH
HH
X
NOP
NO P(Continue BursttoEND)
LH
HL
BA
TER MT erminate Burst
LH
BA ,C A, A8
RE AD /REA DA
TerminateBurst,L atch CA ,B egin
NewRead,Determine Auto-
Precharge
3
LH
LL
BA ,C A, A8
WR IT E/ WR ITEA
ILLE GA L
LL
HH
BA ,R AA CT
Bank Active /ILLE GAL
2
LL
HL
BA ,A 8PRE /PRE AT erminate Burst, Precharge
LL
LH
XREF AI LLE GAL
LL
Op-C ode, Mode-
Add
MR SI LLE GAL
RE AD(Au to-
Precharge
Disabled)
FUNCTIONAL TRUTH TABLE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IS61C512-25TI | x8 SRAM |
| IS61C512-35J | x8 SRAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-6B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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