參數(shù)資料
型號: IS43R32800B-5BL
廠商: INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝: 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁數(shù): 28/39頁
文件大?。?/td> 507K
代理商: IS43R32800B-5BL
34
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
Burstwrite operationcan be interrupted by prechargeofthe same or allbank. Ra ndom column
accessisallowed.tWR is referenced from thefirst positive CL Ke dgeafterthe last data input.
W ri te interrupted by Pr echarge
Wr iteInterr upted by Prechar ge (B L=8, CL=2 .5)
Command
A0-7 ,9-11
A8
BA 0,1
DQ
WR IT E
Yi
0
00
PR E
00
Dai0 Dai1
QS
DM
tWR
/CLK
CL K
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參數(shù)描述
IS43R32800B-5BLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5B-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-6B 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube