參數(shù)資料
型號： IS43R32800B-5BL
廠商： INTEGRATED SILICON SOLUTION INC
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144
文件頁數(shù)： 14/39頁
文件大?。?/td> 507K
代理商： IS43R32800B-5BL
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
21
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
/CAS
La tency
Burst
Length
CL =2
BL =4
Burst
Length
A2
A1 A0
InitialA ddress BL
Sequential
Interleaved
Column Addressing
00
0
00
1
01
0
01
1
10
0
10
1
11
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70
12
01
23
12
30
23
01
30
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23
10
32
23
01
32
01
--
1
12
10
345
63
21
0
10
8
4
2
Command
Address
DQ
YY
Read
Wr ite
DQS
Q0 Q1 Q2 Q3
D0 D1 D2 D3
/CLK
CL K
CAS LATENCY
BURST DEFINITION
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PDF描述
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參數(shù)描述
IS43R32800B-5BLI 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BLI-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5BL-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-5B-TR 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
IS43R32800B-6B 功能描述:動態(tài)隨機(jī)存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時(shí)鐘頻率: 訪問時(shí)間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube
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