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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32800B-5BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 18/39頁 |
| 文件大小： | 507K |
| 代理商： | IS43R32800B-5BL |
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Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
25
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
Af tertRCD from thebank activation, aREA Dcommand canbeissued. 1stOutputdataisavailable
afterthe /CAS Latencyfromthe RE AD ,followedby(BL-1 )consecutive data when theBurst Length
is BL .T he startaddressisspecified by A0-7,9,and theaddresssequenceofburst data is definedby
theBurst Ty pe.A RE AD command maybeapplied to anyactivebank, so therow prechargetime
(tRP ) can be hiddenbehindcontinuousoutputdatabyinterleavingthe multiple banks. When A8 is
high at aREA Dcommand, theauto-precharge (READA )isperformed.A ny
command(RE AD ,W RI TE,P RE ,A CT )tothe same bank is inhibitedtillthe internal prechargeis
complete.T he internal prechargestartsatBL/2after RE AD A. ThenextACT commandcan be
issued after(BL/2+t RP )fromthe previous RE AD A.
READ
Mu ltiB ankI nterleavin gR EA D( BL =8,C L=2)
/CLK
Command
A0-7 ,9-11
A8
BA 0,1
DQ
AC T
Xa
00
RE AD
Y
0
00
RE AD
Y
0
10
AC T
Xb
10
PR E
0
00
tRCD
/CAS latency
BurstLength
DQS
Qa0
CL K
Qa1Qa2 Qa3Qa4
Qa5Qa6 Qa7Qb0 Qb1Qb2 Qb3Qb4 Qb5Qb7 Qb8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-6B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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