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參數(shù)資料
| 型號： | IS43R32800B-5BL |
| 廠商： | INTEGRATED SILICON SOLUTION INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 32 DDR DRAM, 0.7 ns, PBGA144 |
| 封裝： | 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MINI, FBGA-144 |
| 文件頁數(shù)： | 19/39頁 |
| 文件大?。?/td> | 507K |
| 代理商： | IS43R32800B-5BL |
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26
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com
Rev. 00D
03/19/08
IS43R32800B
tRCD
tRP
BL /2
BL /2 +tRP
READ with Auto-Precharge(BL=8, CL=2,2.5,3.0)
Command
A0-7 ,9-11
A8
BA 0,1
DQ
AC T
Xa
00
RE AD
Y
1
00
DQS
/CLK
CL K
Internal Precharge StartTiming
Qa0Qa1
Qa2Qa3
Qa4Qa5
Qa6Qa7
DQ
DQS
Qa0Qa1
Qa2Qa3
Qa4Qa5 Qa6Qa7
CL =2
CL =2.5
01
234
56
78
9101112
DQ
DQS
Qa0Qa1
Qa2Qa3
Qa4Qa5 Qa6Qa7
CL =3.0
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| IS43R32800B-5BLI | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BLI-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256Mb (16M x 16) DDR, 2.5v, 200MHz RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5BL-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz DDR 2.5v RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-5B-TR | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 400MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
| IS43R32800B-6B | 功能描述:動態(tài)隨機存取存儲器 256M (16Mx16) 333MHz Commercial Temp RoHS:否 制造商:ISSI 數(shù)據(jù)總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube |
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