參數(shù)資料
型號： IRF6621
廠商： International Rectifier
英文描述： The IRF6621 combines the latest HEXFET Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET packaging to achieve the lowest on-state resistance
中文描述： 該顆IRF6621結(jié)合先進(jìn)的DirectFET封裝，以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻最新的HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)
文件頁數(shù)： 7/9頁
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代理商： IRF6621
www.irf.com
7
Fig 18.
for N-Channel
HEXFET Power MOSFETs
P.W.
Period
di/dt
Diodedv/dt
Ripple
≤
5%
Body Diode
Forward Drop
Re-Applied
Reverse
Body Current
V
GS
=10V
V
DD
I
SD
Driver Gate Drive
D.U.T. I
SD
Waveform
D.U.T. V
DS
Waveform
Inductor Curent
D =
P.W.
Period
!"#""
"#""& #
$%%
+
-
+
+
+
-
-
-
DirectFET
(Small Size Can, Q-Designation).
Please see DirectFET application note AN-1035 for all details regarding the assembly of DirectFET.
This includes all recommendations for stencil and substrate designs.
Substrate and PCB Layout, SQ Outline
G = GATE
D = DRAIN
S = SOURCE
D
D
D
D
G
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IRF6629PBF DirectFET Power MOSFET
IRF6629TRPbF DirectFET Power MOSFET
IRF6631 DirectFET Power MOSFET
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參數(shù)描述
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