參數(shù)資料
型號： IDT707288L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM, TQFP-100
文件頁數(shù)： 5/16頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IDT707288L20PF8
6.42
IDT707288S/L
High-Speed 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
13
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
Timing Waveform of Mailbox Read after Write Timing, Either Side(1,2)
NOTES:
1.
CE = VIH for the duration of the above timing (both write and read cycle), refer to Truth Table I.
2.
UB and LB are controlled as necessary to enable the desired byte accesses.
Timing Waveform of Left Port Write to right Port Read of Same Data(1,2,3)
NOTES:
1.
UB and LB are controlled as necessary to enable the desired byte accesses.
2. Timing for Right Port Write to Left Port Read is identical.
3. Refer to Truth Table I and IV.
BKSEL0-3
3592 drw 10
tWC
I/O0L-15L
ADDRESSES MATCH
R/
WL
DATAIN
VALID
DATAOUT
VALID
Read Cycle
Write Cycle
CEL
A0L-13L
and A0R-13R
CER
I/O0R-15R
R/WR
OER
tAS
tWP
tAW
tEW
tDW
tDH
tWR
tBS
tLZ
tACE
tHZ
tOH
,
MBSEL
3592 drw 11
tAW
tEW
tMOP
I/O0-15
VALID ADDRESS
tMAA
R/
W
tWR
tOH
tACE
VALID ADDRESS
DATAIN
VALID
DATAOUT
VALID
tDW
tWP
tDH
tAS
tMWRD
tAOE
Read Cycle
Write Cycle
A0-A5
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05S15J8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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