參數(shù)資料
型號(hào)： IDT707288L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： IDT707288L20PF8
6.42
IDT707288S/L
High-Speed 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
10
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
tRC
R/
W
CE
ADDR
tAA
OE
UB, LB
3592 drw 06
(3)
tACE
(3)
tAOE
(3)
tABE
(3)
(1)
tLZ
tOH
(2)
tHZ
DATAOUT
VALID DATA
(3)
(5)
Waveform of Read Cycles(4)
Timing of Power-Up Power-Down
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
CE, OE, LB, or UB.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first
CE, OE, LB, or UB.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last: tAOE, tACE, tABE or tAA.
4.
MBSEL = VIH.
5. Refer to Truth Table I.
CE
3592 drw 07
tPU
ICC
ISB
tPD
50%
(5)
,
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05S15J8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824L20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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