參數(shù)資料
型號(hào)： IDT707288L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 11/16頁(yè)
文件大?。?/td> 125K
代理商： IDT707288L20PF8
6.42
IDT707288S/L
High-Speed 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
4
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
Truth Table III – Mailbox Read/Write Contro
l(1)
NOTES:
1. Chip Enable references are shown above with the actual
CE0 and CE1 levels; CE is a reference only.
2. Port "A" and "B" references are located where
CE is used.
3. "H" = VIH and "L" = VIL.
4.
CE and MBSEL cannot both be active at the same time.
Truth Table I – Chip Enable(1,2,3,4)
Truth Table II – Non-Contention Read/Write Control
NOTES:
1. BA0L - BA1L
≠ BA0R - BA1R: cannot access same bank simultaneously from both ports.
2. Refer to Truth Table I.
3.
CE and MBSEL cannot both be active at the same time.
NOTES:
1. There are four mailbox locations per port written to and read from all the I/O's (I/O0-I/O15). These four mailboxes are addressed by A0-A5. Refer to Truth Table V.
2. Refer to Truth Table I.
3. Each mailbox location contains a 16-bit word, controllable in bytes by setting input levels to
UB and LB appropriately.
CE
CE0
CE1
Mode
L
VIL
VIH
Port Selected (TTL Active)
< 0.2V
>VCC -0.2V
Port Selected (CMOS Active)
H
VIH
X
Port Deselected (TTL Inactive)
XVIL
Port Deselected (TTL Inactive)
>VCC -0.2V
X
Port Deselected (CMOS Inactive)
X<0.2V
Port Deselected (CMOS Inactive)
3592 tbl 02
Inputs(1)
Outputs
Mode
CE(2)
R/
W
OE
UB
LB
MBSEL
I/O8-15
I/O0-7
H
XXXX
H
High-Z
Deselcted: Power-Down
X(3)
XX
H
X(3)
High-Z
Both Bytes Deselected
LL
X
L
H
DATAIN
High-Z
Write to Upper Byte Only
L
X
H
L
H
High-Z
DATAIN
Write to Lower Byte Only
LL
X
L
H
DATAIN
Write to Both Bytes
LH
L
H
DATAOUT
High-Z
Read Upper Byte Only
LH
High-Z
DATAOUT
Read Lower Byte Only
L
H
LLL
H
DATAOUT
Read Both Bytes
X(3)
XH
X
X(3)
High-Z
Outputs Disabled
3592 tbl 03
Inputs
Outputs
Mode
CE(2)
R/
W
OE
UB
LB
MBSEL
I/O8-15
I/O0-7
HH
L
X(3)
LDATAOUT
DATAOUT
Read Data from Mailbox,
↓ clears interrupt
H
LL
DATAOUT
Read Data from Mailbox,
↓ clears interrupt
HL
X
L(3)
LDATAIN
DATAIN
Write Data into Mailbox
L
XXX
X
L
____
Not Allowed
3592 tbl 04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05S15J8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824L20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
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