參數(shù)資料
型號： IDT707288L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM, TQFP-100
文件頁數(shù)： 12/16頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IDT707288L20PF8
6.42
IDT707288S/L
High-Speed 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
NO
T RECOMMENDED
FOR
NEW
DESIGNS
Absolute Maximum Ratings(1)
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (VCC = 5.0V ± 10%)
Capacitance(1)
(TA = +25°C, f = 1.0mhz) TQFP Package
Recommended DC Operating
Conditions
Maximum Operating Temperature
and Supply Voltage(1)
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of VTERM > Vcc + 10%.
NOTES:
1. VIL > -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. VTERM must not exceed Vcc + 10%.
NOTES:
1. This parameter is determined by device characterization but is not production
tested.
2. 3dV represents the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. COUT represents CI/O as well.
NOTE:
1. At Vcc
< 2.0V, input leakages are undefined.
NOTES:
1. This is the parameter TA. This is the "instant on" case temperature.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
VTERM(2)
Terminal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
TBIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
oC
TSTG
Storage
Temperature
-65 to +150
oC
IOUT
DC Output
Current
50
mA
3592 tbl 05
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0OC to +70OC0V
5.0V
+ 10%
Industrial
-40OC to +85OC0V
5.0V
+ 10%
3592 tbl 06
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
VCC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
V
VIH
Input High Voltage
2.2
____
6.0(2)
V
VIL
Input Low Voltage
-0.5(1)
____
0.8
V
3592 tbl 07
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 3dV
9
pF
COUT(3)
Output Capacitance
VOUT = 3dV
10
pF
3592 tbl 08
Symbol
Parameter
Test Conditions
707288S
707288L
Unit
Min.
Max.
Min.
Max.
|ILI|
Input Leakage Current(1)
VCC = 5.5V, VIN = 0V to VCC
___
10
___
5 A
|ILO|
Output Leakage Current
CE = VIH, MBSEL = VIH, VOUT = 0V to VCC
___
10
___
5 A
VOL
Output Low Voltage
IOL = +4mA
___
0.4
___
0.4
V
VOH
Output High Voltage
IOH = -4mA
2.4
___
2.4
___
V
3592 tbl 09
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05S15J8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC68
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