參數(shù)資料
型號(hào)： IDT707288L20PF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM, TQFP-100
文件頁數(shù)： 10/16頁
文件大?。?/td> 125K
代理商： IDT707288L20PF8
6.42
IDT707288S/L
High-Speed 64K x 16 Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
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NO
T RECOMMENDED
FOR
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DESIGNS
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100 99 98 979695 94 9392 91 90 8988 8786 85 84 8382 81 8079 78 77 76
IDT707288PF
PN100-1(4)
100-Pin TQFP
Top View(5)
GND
OER
R/
WR
MBSELR
CE1R
CE0R
BKSEL3
NC
GND
A9R
A10R
A8R
A7R
A6R
A11R
I/O10R
I/O11R
I/O12R
I/O13R
I/O14R
I/O15R
GND
UBR
LBR
3592 drw 02
I/O15L
GND
OEL
R/
WL
MBSELL
CE1L
CE0L
Vcc
BKSEL0
A11L
A10L
NC
A9L
A8L
A7L
A6L
I/O10L
I/O11L
I/O12L
I/O13L
I/O14L
UBL
LBL
GND
I/
O
5
R
I/
O
4
R
I/
O
3
R
I/
O
2
R
I/
O
0
R
I/
O
0
L
G
N
D
I/
O
2
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I/
O
4
L
I/
O
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I/
O
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O
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O
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I/
O
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I/
O
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I/
O
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O
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I/
O
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I/
O
9
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A
4
R
A
5
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A
4
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A
3
R
A
0
R
A
1
2
R
IN
T
R
IN
T
L
B
K
S
E
L
1
A
3
L
A
5
R
G
N
D
V
c
I/
O
1
L
V
c
G
N
D
A13R
N
C
B
A
0
R
B
A
1
R
A
1
R
A
2
R
B
K
S
E
L
2
G
N
D
N
C
A
0
L
A
1
2
L
B
A
0
L
B
A
1
L
A
1
L
A
2
L
A13L
,
Pin Names
NOTES:
1. All VCC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm.
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
NOTES:
1. Duplicated per port.
2. Each bank has an input pin assigned that allows the user to toggle the assignment
of that bank between the two ports. Refer to Truth Table IV for more details. When
changing the bank assignments, accesses of the affected banks must be
suspended. Accesses may continue uninterrupted in banks that are not being
reallocted.
3. Generated upon mailbox access.
4. All Vcc pins must be connected to power supply.
5. All GND pins must be connected to ground supply.
6. The first six address pins (A0-A5) for each port serve dual functions. When
MBSEL
= VIH, the pins serve as memory address inputs. When
MBSEL = VIL, the pins
serve as mailbox address inputs (A6-A13 are ignored).
Pin Configurations(1,2,3)
A0 - A13(1,6)
Address Inputs
BA0 - BA1(1)
Bank Address Inputs
MBSEL(1)
Mailbox Access Control Gate
BKSEL0-3(2)
Bank Select Inputs
R/
W(1)
Read/Write Enable
OE(1)
Output Enable
CE0, CE1(1)
Chip Enables
UB, LB(1)
I/O Byte Enables
I/O0 - I/O15
(1)
Bidirectional Data Input/Output
INT(1)
Interrupt Flag (Output)(3)
VCC(4)
+5VPower
GND(5)
Ground
3592 tbl 01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V05S35 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
70V05L35PF8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05L20J 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
70V05L35PF 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP64
70V05S15J8 8K X 8 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQCC68
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70824L20G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L20PF8 功能描述:IC SARAM 64KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25G 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70824L25PF 功能描述:IC SARAM 64KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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