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參數資料
| 型號： | ICY7C1362C-166BGXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數： | 22/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | ICY7C1362C-166BGXI |
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PRELIMINARY
CY7C1360C
CY7C1362C
Document #: 38-05540 Rev. *C
Page 22 of 31
Switching Waveforms
Read Cycle Timing
[23]
Note:
23.On this diagram, when CE is LOW: CE
1
is LOW, CE
2
is HIGH and CE
3
is LOW. When CE is HIGH: CE
1
is HIGH or CE
2
is LOW or CE
3
is HIGH.
tCYC
tCL
CLK
ADSP
tADH
tADS
ADDRESS
tCH
OE
ADSC
CE
tAH
tAS
A1
tCEH
tCES
GW, BWE,
BWx
Data Out (Q)
High-Z
tCLZ
tDOH
tCO
ADV
tOEHZ
tCO
Single READ
BURST READ
tOEV
tOELZ
tCHZ
ADV
suspends
burst.
Burst wraps around
to its initial state
tADVH
tADVS
tWEH
tWES
tADH
tADS
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 2)
Q(A1)
Q(A2)
Q(A2 + 1)
Q(A2 + 3)
A2
A3
Deselect
cycle
Burst continued with
new base address
DON’T CARE
UNDEFINED
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
| ID100 | SCRs .5 Amp, Planar |
| IDT101494S7C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
| IDT100494 | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
| IDT100494S10C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BZI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1367B-166BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| ICY7C1373C-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| ICY7C1373D-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
| ICY7C1373D-100BGXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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