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參數資料
| 型號： | ICY7C1362C-166BGXI |
| 廠商： | CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 3.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | 14 X 22 MM, 2.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁數： | 18/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 432K |
| 代理商： | ICY7C1362C-166BGXI |
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PRELIMINARY
CY7C1360C
CY7C1362C
Document #: 38-05540 Rev. *C
Page 18 of 31
119-Ball BGA Boundary Scan Order
CY7C1360C (256K x 36)
Signal
Name
BIT#
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
CY7C1362C (512K x 18)
Signal
Name
CLK
GW
BWE
OE
ADSC
ADSP
ADV
A
Bit#
1
2
3
4
5
6
7
8
Ball ID
K4
H4
M4
F4
B4
A4
G4
C3
BALL ID
P4
N4
R6
T5
T3
R2
R3
P2
Signal
Name
A0
A1
A
A
A
A
MODE
DQP
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
DQ
D
Internal
Bit#
1
2
3
4
5
6
7
8
Ball ID
K4
H4
M4
F4
B4
A4
G4
C3
Bit#
37
38
39
40
41
42
43
44
Ball ID
P4
N4
R6
T5
T3
R2
R3
Internal
Signal
Name
A0
A1
A
A
A
A
MODE
Internal
37
38
39
40
41
42
43
44
9
B3
A
45
P1
9
B3
A
45
Internal
Internal
10
D6
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
ZZ
46
L2
10
T2
A
46
Internal
Internal
11
H7
47
K1
11
Internal
Internal
47
Internal
Internal
12
G6
48
N2
12
Internal
Internal
48
P2
DQP
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
13
E6
49
N1
13
Internal
Internal
49
N1
14
D7
50
M2
14
D6
DQP
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
ZZ
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M2
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E7
51
L1
15
E7
51
L1
16
F6
52
K2
16
F6
52
K2
17
G7
53
Internal
17
G7
53
Internal
18
H6
54
H1
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQ
C
DQP
C
A
18
H6
54
H1
DQ
B
DQ
B
DQ
B
DQ
B
Internal
19
T7
55
G2
19
T7
55
G2
20
K7
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQP
A
A
56
E2
20
K7
DQ
A
DQ
A
DQ
A
DQ
A
Internal
56
E2
21
L6
57
D1
21
L6
57
D1
22
N6
58
H2
22
N6
58
Internal
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P7
59
G1
23
P7
59
Internal
Internal
24
N7
60
F2
24
Internal
60
Internal
Internal
25
M6
61
E1
25
Internal
Internal
61
Internal
Internal
26
L7
62
D2
26
Internal
Internal
62
Internal
Internal
27
K6
63
C2
27
Internal
Internal
63
C2
A
28
P6
64
A2
A
28
Internal
Internal
64
A2
A
29
T4
65
E4
CE
1
CE
2
BW
D
BW
C
BW
B
BW
A
Internal
29
T6
A
65
E4
CE
1
CE
2
Internal
30
A3
A
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B2
30
A3
A
66
B2
31
C5
A
67
L3
31
C5
A
67
Internal
32
B5
A
68
G3
32
B5
A
68
Internal
Internal
33
A5
A
69
G5
33
A5
A
69
G3
BW
B
BW
A
Internal
34
C6
A
70
L5
34
C6
A
70
L5
35
36
A6
B6
A
A
71
Internal
35
36
A6
B6
A
A
71
Internal
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ID100 | MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
| ID100 | SCRs .5 Amp, Planar |
| IDT101494S7C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
| IDT100494 | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
| IDT100494S10C | HIGH-SPEED BiCMOS ECL STATIC RAM 64K (16K】4-BIT) SRAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| ICY7C1362C-166BZI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM |
| ICY7C1367B-166BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:9-Mb (256K x 36/512K x 18) Pipelined DCD Sync SRAM |
| ICY7C1373C-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBL Architecture |
| ICY7C1373D-100BGI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
| ICY7C1373D-100BGXI | 制造商:CYPRESS 制造商全稱:Cypress Semiconductor 功能描述:18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM with NoBLTM Architecture |
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