- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄224000 > HYB18T1G800C4F-3 (QIMONDA AG) 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G800C4F-3 |
| 廠商： | QIMONDA AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 9/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | HYB18T1G800C4F-3 |
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HYB18T1G[40/80/16]0C4F
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Internet Data Sheet
Rev. 1.01, 2008-11
17
04212008-66HT-ZLFE
2.3
Addressing
This chapter describes the DDR2 addressing.
TABLE 9
Addressing
Configuration
256 Mb x 41)
1) Referred to as ’org’
128 Mb x 82)
2) Referred to as ’org’
64 Mb x163)
3) Referred to as ’org’
Note
Bank Address
BA[2:0]
Number of Banks
8
Auto Precharge
A10 / AP
Row Address
A[13:0]
A[12:0]
Column Address
A11, A[9:0]
A[9:0]
Number of Column Address Bits
11
10
4)
4) Referred to as ’colbits’
Number of I/Os
4
8
16
Page Size [Bytes]
1024 (1 K)
2048 (2 K)
5)
5) PageSize = 2colbits
× org/8 [Bytes]
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165800AJ-40 | 8M X 8 FAST PAGE DRAM, 40 ns, PDSO32 |
| HYB39S64400AT-8 | 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| HYC532410-50 | 4M X 32 MULTI DEVICE DRAM CARD, 50 ns, XMA88 |
| HYE18M256320CF-7.5 | 8M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| HYM564124AR-60 | 1M X 64 EDO DRAM MODULE, DMA168 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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