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參數(shù)資料
| 型號： | HYB18T1G800C4F-3 |
| 廠商： | QIMONDA AG |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M X 8 DDR DRAM, 0.45 ns, PBGA60 |
| 封裝： | GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
| 文件頁數(shù)： | 29/58頁 |
| 文件大?。?/td> | 1898K |
| 代理商： | HYB18T1G800C4F-3 |
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HYB18T1G[40/80/16]0C4F
1-Gbit Double-Data-Rate-Two SDRAM
Internet Data Sheet
Rev. 1.01, 2008-11
35
04212008-66HT-ZLFE
TABLE 31
AC Overshoot / Undershoot Specification for Clock, Data, Strobe and Mask Pins
FIGURE 7
AC Overshoot / Undershoot Diagram for Clock, Data, Strobe and Mask Pins
Parameter
DDR2-667
DDR2-800
Unit
Maximum peak amplitude allowed for overshoot area
0.5
V
Maximum peak amplitude allowed for undershoot area
0.5
V
Maximum overshoot area above
V
DDQ
0.23
V-ns
Maximum undershoot area below
V
SSQ
0.23
V-ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HYB3165800AJ-40 | 8M X 8 FAST PAGE DRAM, 40 ns, PDSO32 |
| HYB39S64400AT-8 | 16M X 4 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PDSO54 |
| HYC532410-50 | 4M X 32 MULTI DEVICE DRAM CARD, 50 ns, XMA88 |
| HYE18M256320CF-7.5 | 8M X 32 DDR DRAM, 6 ns, PBGA90 |
| HYM564124AR-60 | 1M X 64 EDO DRAM MODULE, DMA168 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HYB18T256400AF-3.7 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:64M X 4 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA60 |
| HYB18T256400AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SDRAM, DDR, 64M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T256800AF-5 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| HYB18T512161BF-25 | 制造商:Qimonda 功能描述:SDRAM, DDR, 32M x 16, 84 Pin, Plastic, BGA |
| HYB18T512400AF-5 | 制造商:Intersil Corporation 功能描述:SDRAM, DDR, 128M x 4, 60 Pin, Plastic, BGA |
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