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參數(shù)資料
| 型號： | HB56S864ESN-7 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁數(shù)： | 8/34頁 |
| 文件大?。?/td> | 338K |
| 代理商： | HB56S864ESN-7 |
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HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
16
Read Cycle
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Access time from
RAS
t
RAC
—
60
—
70
ns
8, 9
Access time from
CAS
t
CAC
—
15
—
18
ns
9, 10, 17
Access time from address
t
AA
—
30
—
35
ns
9, 11, 17
Access time from
OE
t
OEA
—
15
—
18
ns
9, 21
Read command setup time
t
RCS
0—
ns
Read command hold time to
CAS
t
RCH
0—
ns
12
Read command hold time from
RAS
t
RCHR
60
—
70
—
ns
Read command hold time to
RAS
t
RRH
5—
ns
12
Column address to
RAS lead time
t
RAL
30
—
35
—
ns
Column address to
CAS lead time
t
CAL
18
—
23
—
ns
CAS to output in low-Z
t
CLZ
0—
ns
Output data hold time
t
OH
3—
ns
22
Output data hold time from
OE
t
OHO
3—
ns
Output buffer turn-off time
t
OFF
—
15
—
15
ns
13, 22
Output buffer turn-off to
OE
t
OEZ
—
15
—
15
ns
13
CAS to Din delay time
t
CDD
15
—
18
—
ns
5
Output data hold time from
RAS
t
OHR
3—
ns
22
Output buffer turn-off time to
RAS
t
OFR
—
15
—
15
ns
22
Output buffer turn-off to
WE
t
WEZ
—
15
—
15
ns
WE to Din delay time
t
WED
15
—
18
—
ns
RAS to Din delay time
t
RDD
15
—
18
—
ns
RAS next CAS delay time
t
RNCD
60
—
70
—
ns
Write Cycle
60 ns
70 ns
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
0—
ns
14
Write command hold time
t
WCH
10
—
13
—
ns
Write command pulse width
t
WP
10
—
10
—
ns
Write command to
RAS lead time
t
RWL
10
—
13
—
ns
Write command to
CAS lead time
t
CWL
10
—
13
—
ns
Data-in setup time
t
DS
0—
ns
15
Data-in hold time
t
DH
10
—
13
—
ns
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HB56S872ES-7B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
| HB56S872ES-8B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 EDO Page Mode DRAM Module |
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