參數(shù)資料
型號(hào): HB56S864ESN-7
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
封裝: DIMM-168
文件頁(yè)數(shù): 22/34頁(yè)
文件大小: 338K
代理商: HB56S864ESN-7
HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
29
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle*
18
WE
Din
OE
Dout
Address
RAS
t RASP
t CRP
t CP
t HPRWC
t T
t RCD
t CAS
t CP
t CAS
t RAD
t ASR
t ASC
t RAH
t CAH
t CWL
t CPW
t CWL
t CPW
t CWL
t RWD
t AWD
t CWD
t RCS
t CWD
t RCS
t CWD
t RCS
t WP
t DS
t DZC
t DS
t DZC
t DS
t DZC
t DH
t DZO
t OEH
t AA
t RAC
t OEZ
t CLZ
Dout N
Dout 2
Dout 1
Din
1
Din
2
Din
N
Column N
Column 2
Column 1
t RP
Row
t RWL
t OHO
t OEA
t CAC
t OEZ
t CLZ
t OHO
t OEA
t CAC
t CPA
t OEZ
t CLZ
t OHO
t OEA
t CAC
t CPA
High-Z
t OED
AA
t
AA
t
t RSH
CAS
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