參數(shù)資料
型號(hào)： HB56S864ESN-7
元件分類： DRAM
英文描述： 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁(yè)數(shù)： 6/34頁(yè)
文件大?。?/td> 338K
代理商： HB56S864ESN-7
HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
14
Capacitance (Ta = 25
°C, V
CC = 5.0 V ±5%) (HB56S872ESN)
Parameter
Symbol
Type
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
—
200
pF
1
Input capacitance (
CAS)C
I2
—62
pF
1
Input capacitance (
RAS)C
I3
—83
pF
1
Input capacitance (
WE, OE)C
I4
—
146
pF
1
Output capacitance (DQ)
C
I/O
—
27
pF
1, 2
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
CAS = V
IH to disable Dout.
Capacitance (Ta = 25
°C, V
CC = 5.0 V ±5%) (HB56S864ESN)
Parameter
Symbol
Type
Max
Unit
Notes
Input capacitance (Address)
C
I1
—
180
pF
1
Input capacitance (
CAS)C
I2
—48
pF
1
Input capacitance (
RAS)C
I3
—76
pF
1
Input capacitance (
WE, OE)C
I4
—
132
pF
1
Output capacitance (DQ)
C
I/O
—
27
pF
1, 2
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2.
CAS = V
IH to disable Dout.
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PDF描述
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