參數(shù)資料
型號(hào)： HB56S864ESN-7
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
封裝： DIMM-168
文件頁(yè)數(shù)： 21/34頁(yè)
文件大?。?/td> 338K
代理商： HB56S864ESN-7
HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
28
EDO Page Mode Delayed Write Cycle*
18
WE
Din
OE
Dout
Address
RAS
t RASP
t RP
t CRP
t RSH
t CAS
t HPC
t CAS
t CSH
t RCD
t T
t CP
t ASC
t CAH
t ASC
t CAH
t ASC
t CAH
t RAD
t ASR
t RAH
t RCS
t RWL
t CWL
t WP
t DZC tDS
t DS
t DZC
t DH
t DZO
t OED
t DZO
t OED
t DZO
t OED
t OEH
t OEZ
t CLZ
t OEZ
t CLZ
t OEZ
Invalid Dout
Din
1
Din
2
Din
N
Column N
Column 2
Column 1
Row
High-Z
CAS
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PDF描述
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