參數(shù)資料
型號(hào): HB56S864ESN-7
元件分類: DRAM
英文描述: 8M X 64 EDO DRAM MODULE, 70 ns, DMA168
封裝: DIMM-168
文件頁(yè)數(shù): 26/34頁(yè)
文件大?。?/td> 338K
代理商: HB56S864ESN-7
HB56S872ESN Series, HB56S864ESN Series
32
Physical Outline
Unit: mm/inch
3.00
133.35
0.118
5.250
127.35
5.014
3.00
0.118
8.89
11.43
36.83
54.61
0.350
0.450
2.150
1.450
A
B
C
1
84
Front side
Back side
1.27
± 0.10
4.00
min
0.157
min
0.050
± 0.004
4.80
0.189
85
4.00
0.157
17.78
0.700
25.40
1.000
168
2 –
φ 3.00
2 –
φ 0.118
Component area
(Front)
Component area
(Back)
6.35
0.250
1.00
0.039
Detail C
Detail A
0.25
max
2.54
min
0.010
max
0.100
min
3.125
±0.125
0.123
±0.005
1.27
0.050
1.00
± 0.05
0.039
± 0.002
2.00
± 0.10
0.079
± 0.004
3.175
0.125
6.35
0.250
1.00
0.039
Detail B
3.125
±0.125
0.123
±0.005
2.00
± 0.10
0.079
± 0.004
3.175
0.125
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