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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 57/57頁(yè) |
| 文件大小： | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
57
Revision Record
Rev. Date
0.0
Contents of Modification
Drawn by
T. Oono
Approved by
K. Tsuneda
Feb. 20, 1999 Initial issue (referred to HM5264165F/HM5264805F/
HM5264405F-75/A60/B60 rev. 0.1)
Jul. 30, 1999
Addition of the CE latency = 3 (100 MHz)
Serial PD Matrix
Byte 18: 04 to 06
Byte 23: 00 to A0
Byte 24: 00 to 60
Byte 63: BD to BF
Byte 126: 85 to 64
Byte 127: 85 to 87
Block Diagram: Correct errors
AC Characteristics
t
RCD
(CE latency = 4) min: 22.5 ns to 20 ns
t
RP
(CE latency = 4) min: 22.5 ns to 20 ns
t
DPL
(CE latency = 4) min: 15 ns to 7.5 ns
t
DPL
(CE latency = 3) min: 10 ns to 0 ns
Relationship Between Frequency and Minimum Latency
l
DPL
(CE latency = 4): 2 to 1
l
DPL
(CE latency = 3): 1 to 0
l
APW
(CE latency = 4): 5 to 4
l
APW
(CE latency = 3): 3 to 2
l
RSA
(CE latency = 4): 3 to 1
0.1
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PDF描述 |
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