- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52F169E1 (Hitachi,Ltd.) 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊(cè)SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 22/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
22
Self-refresh exit:
When this command is executed during self-refresh mode, the SDRAM module can exit
from self-refresh mode. After exiting from self-refresh mode, the SDRAM module enters the IDLE state.
Power down exit:
When this command is executed at the power down mode, the SDRAM module can exit
from power down mode. After exiting from power down mode, the SDRAM module enters the IDLE state.
Function Truth Table
The following table shows the operations that are performed when each command is issued in each mode of
the SDRAM module. The following table assumes that CKE is high.
Current state
Precharge
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
L
L
L
L
RE
×
H
H
H
H
L
L
L
L
×
H
H
H
H
L
L
L
L
CE
×
H
H
L
L
H
H
L
L
×
H
H
L
L
H
H
L
L
W
×
H
L
H
L
H
L
H
L
×
H
L
H
L
H
L
H
L
Address
×
×
×
BA, CA, A10 READ/READ A ILLEGAL*
4
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
BA, RA
ACTV
BA, A10
PRE, PALL
×
REF, SELF
MODE
MRS
×
DESL
×
NOP
×
BST
BA, CA, A10 READ/READ A ILLEGAL*
5
BA, CA, A10 WRIT/WRIT A
BA, RA
ACTV
BA, A10
PRE, PALL
×
REF, SELF
MODE
MRS
Command
DESL
NOP
BST
Operation
Enter IDLE after t
RP
Enter IDLE after t
RP
NOP
ILLEGAL*
4
ILLEGAL*
4
NOP*
6
ILLEGAL
ILLEGAL
NOP
NOP
NOP
Idle
ILLEGAL*
5
Bank and row active
NOP
Refresh
Mode register set
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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