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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 10/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
10
Absolute Maximum Ratings
Note:
1.Respect to V
SS
DC Operating Conditions (Ta = 0 to +55
°
C)
Notes:
1.All voltage referred to V
SS
2.The supply voltage with all VCC pins must be on the same level.
3.The supply voltage with all VSS pins must be on the same level.
4.V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5.V
IL
(min) = V
SS
– 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
V
IL
/V
IH
Clamp (Component characteristics)
This SDRAM component has V
IL
and V
IH
clamp for CK, CKE, S, DQMB and DQ pins.
Minimum V
IL
Clamp Current
Parameter
Symbol
Value
–0.5 to V
CC
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
–0.5 to +4.6
50
18.0
0 to +55
–50 to +100
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
Power dissipation
Operating temperature
Storage temperature
V
T
V
CC
Iout
P
T
Topr
Tstg
V
V
mA
W
°
C
°
C
1
1
Parameter
Supply voltage
Symbol
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
Min
3.0
0
2.0
0
Max
3.6
0
V
CC
0.8
Unit
V
V
V
V
Notes
1, 2
3
1, 4
1, 5
Input high voltage
Input low voltage
V
IL
(V)
–2
–1.8
–1.6
–1.4
–1.2
–1
–0.9
–0.8
–0.6
–0.4
–0.2
0
I (mA)
–32
–25
–19
–13
–8
–4
–2
–0.6
0
0
0
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| HB52F649E1-75B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
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| HB52F168EN | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HB52F329EM-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:256MB Unbuffered SDRAM DIMM |
| HB52F648EN-75B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 133 MHz Memory Bus PC133 SDRAM |
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