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參數(shù)資料
| 型號： | HB52F169E1 |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 128 MB的注冊SDRAM的內(nèi)存（128 MB的寄存同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 30/57頁 |
| 文件大?。?/td> | 870K |
| 代理商： | HB52F169E1 |
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HB52F169E1-75F
30
CE Latency
Burst Length
Write operation:
Burst write or single write mode is selected by the OPCODE (A13, A12, A11, A10, A9,
A8) of the mode register.
1. Burst write:
A burst write operation is enabled by setting OPCODE (A9, A8) to (0, 0). A burst write starts
in the next clock as a write command set. (The latency of data input is 1 clock.) The burst length can be set
to 1, 2, 4, 8, and full-page, like burst read operations. The write start address is specified by the column ad-
dress (and the bank select address (BA) at the write command set cycle.
READ
CK
Command
Dout
ACTV
Row
Column
Address
CL = 3
CL = 4
out 0
out 1
out 2
out 3
out 0
out 1
out 2
out 3
t
RCD
CL =
CE
latency
Burst Length = 4
READ
CK
Command
Dout
ACTV
Row
Column
out 0
out 6
out 7
out 8
Address
out 0 out 1
out 4
out 5
out 0
out 1 out 2 out 3
BL = 1
out 0 out 1 out 2
out 3
out 0
out 1 out 2 out 3
out 6
out 7
out 4
out 5
out 0-1
out 0
out 1
BL = 2
BL = 4
BL = 8
BL = full page
t
RCD
BL : Burst Length
CE
Latency = 3
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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