參數(shù)資料
型號： HB52E649EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 27/29頁
文件大?。?/td> 134K
代理商： HB52E649EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
27
Physical Outline
6.35
0.250
2.00
±
0.10
0.079
±
0.004
6.35
0.250
4.175
0.164
2.00
±
0.10
0.079
±
0.004
1.00
0.039
Detail B
Detail C
Detail A
0
±
2
±
0
±
0
±
3
±
3
±
0
±
0
±
1.27
0.050
3.00 typ
0.118 typ
133.37
±
0.15
5.251
±
0.006
3
±
0
±
11.43
0.450
36.83
1.450
54.61
2.150
(63.67)
(2.51)
A
B
C
1
84
Front side
Back side
8
4
±
0
0
±
1
0
3
1
1
2 –
φ
3.00
±
0.10
2 –
φ
0.118
±
0.003
1.00
±
0.05
0.039
±
0.002
(DATUM -A-)
(DATUM -A-)
Unit: mm
(DATUM -A-)
R FULL
R FULL
Note: Tolerance on all dimensions
±
0.15/0.006 unless otherwise specified.
127.35
±
0.15
5.014
±
0.006
Component area
(Front)
Component area
(Back)
1.27
±
0.10
0.050
±
0.004
4
0
4.00 max
0.157 max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12-B6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
HB52E649E12 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52F169E1 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
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參數(shù)描述
HB52E649EN-A6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E649EN-B6B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus
HB52E88EM-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52E89E1P-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52E89EM-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
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