參數(shù)資料
型號： HB52E649EN
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 18/29頁
文件大小： 134K
代理商： HB52E649EN
HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
18
Output High Current
(I
OH
)
(Ta = 0 to 65C, V
CC
= 3.0 V to 3.45 V, V
SS
= 0 V)
I
O H
Mi n (mA)
I
O H
Max (mA)
Vout (V)
3. 45
—
–3
3. 3
—
–28
3
0
–75
2. 6
–21
–130
2. 4
–34
–154
2
–59
–197
1. 8
–67
–227
1. 65
–73
–248
1. 5
–78
–270
1. 4
–81
–285
1
–89
–345
0
–93
–503
I
O
Vout (V)
0
–100
–200
–300
–500
–600
–400
0.5
1
1.5
2
2.5
3
min
max
3.5
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
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