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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52E649EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 512 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁數(shù)： | 12/29頁 |
| 文件大?。?/td> | 134K |
| 代理商： | HB52E649EN |
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HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
12
Block Diagram
(HB52E648EN)
DQMB0
D1
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
DQ0
to DQ7
DQ8
to DQ15
DQMB1
* D0 to D15: HM5225805
U0: 2-kbit EEPROM
C0 to C15: 0.33
μ
F, C16 to C31: 0.10
μ
F
R0: 10 k
, R1: 47 k
N0 to N15: Network registor 10
R100 to R103: 10
CKE (D8 to D15)
Serial PD
SDA
WP
R1
A0
A1
A2
SA0 SA1 SA2
V
SS
CKE1
CKE (D0 to D7)
CKE0
SCL
U0
SDA
SCL
Notes :
1. The SDA pull-up resistor is required due to
the open-drain/open-collector output.
2. The SCL pull-up resistor is recommended
because of the normal SCL line inacitve
"high" state.
R0
8 N0, N1
N2, N3
N4, N5
N6, N7
N8, N9
N10, N11
N12, N13
N14, N15
8
DQMB4
DQ32
to DQ39
DQ40
to DQ47
DQMB5
8
8
V
CC
(D0 to D15, U0)
C16 to C31
V
SS
(D0 to D15, U0)
V
SS
V
CC
C0 to C15
V
CC
RE
,
CE
,
W
CS
CS
D5
D4
D0
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
S1
S0
S2
DQMB2
D3
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
DQ16
to DQ23
DQ24
to DQ31
DQMB3
8
8
DQMB6
DQ48
to DQ55
DQ56
to DQ63
DQMB7
8
8
CS
CS
D7
D6
D2
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
A0 to A12, BA0, BA1
D13
D12
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
S3
D15
D14
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
D9
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
D8
D11
I/O0
to I/O7
I/O0
to I/O7
DQM
DQM
CS
CS
D10
R100
R101
CK0
CLK; 4 SDRAMs + 3.3 pF cap
CLK; 4 SDRAMs + 3.3 pF cap
CK1
R102
R103
CK2
CLK; 4 SDRAMs + 3.3 pF cap
CLK; 4 SDRAMs + 3.3 pF cap
CK3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E649E12 | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| HB52E649E12-A6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12-B6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F169E1 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E649EN-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
| HB52E649EN-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
| HB52E88EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52E89E1P-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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