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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816236 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（為512k × 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 31/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | GS816236 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
31/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
JTAG Port Recommended Operating Conditions and DC Characteristics
JTAG Port AC Test Conditions
Parameter
Symbol
V
IHT
V
ILT
I
INTH
I
INTL
I
OLT
V
OHT
V
OLT
Min.
0.7 * V
DD
Max.
V
DD
+0.3
0.3 * V
DD
Unit Notes
Test Port Input High Voltage
V
1, 2
Test Port Input Low Voltage
–
0.3
V
1, 2
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
300
1
uA
3
TMS, TCK and TDI Input Leakage Current
–
1
1
uA
4
TDO Output Leakage Current
–
1
1
uA
5
Test Port Output High Voltage
1.7
—
V
6, 7
Test Port Output Low Voltage
—
0.4
V
6, 8
Note:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
This device features input buffers compatible with 2.5 V I/O drivers.
Input Under/overshoot voltage must be
–
2 V > Vi < V
DD
+2 V with a pulse width not to exceed 20% tTKC.
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
The TDO output driver is served by the V
DD
supply.
I
OH
=
–
4 mA
I
OL
= + 4 mA
Notes:
1.
2.
Include scope and jig capacitance.
Test conditions as as shown unless otherwise noted.
Parameter
Input high level
Input low level
Input slew rate
Input reference level
Output reference level
Conditions
2.3 V
0.2 V
1 V/ns
1.25 V
1.25 V
DQ
V
T
= 1.25 V
50
30pF
*
JTAG Port AC Test Load
* Distributed Test Jig Capacitance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS816272 | 16Mb（256K x 72Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（256K x 72位）可選單/雙循環(huán)取消同步靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| GS8162Z18BGB-200I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8162Z18BB | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8162Z18BB-150 | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS8162Z18BB-150I | 18Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS816236BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816236BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS816236BB-150IV | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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