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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816236 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（為512k × 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 24/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | GS816236 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
24/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
E
1
tKH
tKC
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
RD1
Hi-Z
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| GS816236BB-150V | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 2.5V/3.3V 18MBIT 512KX36 7.5NS/3.8NS 119FPBGA - Trays |
| GS816236BB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 3.3V 18MBIT 512KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
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