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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS816236 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（512K x 36Bit）S/DCD Sync Burst SRAM(16M位（512K x 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)RAM(帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器)) |
| 中文描述： | 16Mb的（為512k × 36Bit）的S /雙氰胺同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（為512k × 36位）可選單/雙循環(huán)取消同步?jīng)_靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 25/38頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 826K |
| 代理商： | GS816236 |
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Rev: 2.10 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
25/38
1999, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS816218/36/72B-225/200/180/166/150/133
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
E
1
G
WR1
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tStH
tKH
ADSC initiated read
E
1
masks ADSP
DQ
A
–DQ
D
tKL
tKC
tS
tH
Single Write
ADSP is blocked by E1 inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
B
A
–B
D
RD1
RD2
tS tH
A
0
–An
WR1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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