參數(shù)資料
型號： GS816136CGD-250T
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 512K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
文件頁數(shù)： 7/29頁
文件大?。?/td> 797K
代理商： GS816136CGD-250T
GS816118/36CD-333/300/250
Preliminary
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.00 9/2004
15/29
2004, GSI Technology
Notes:
1. IDD and IDDQ apply to any combination of VDD3, VDD2, VDDQ3, and VDDQ2 operation.
2. All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
Unit
0
to
70°C
–40
to
85°C
0
to
°C
–40
to
85°C
0
to
70°C
–40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥VIH or ≤ VIL
Output open
(x36)
Pipeline
IDD
IDDQ
385
50
395
50
345
45
355
45
290
40
300
40
mA
Flow Through
IDD
IDDQ
300
35
310
35
240
30
250
30
220
20
230
20
mA
(x18)
Pipeline
IDD
IDDQ
345
30
355
30
310
25
320
25
260
20
270
20
mA
Flow Through
IDD
IDDQ
260
20
270
20
215
15
225
15
200
10
210
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥ VDD – 0.2 V
—
Pipeline
ISB
40
50
40
50
40
50
mA
Flow Through
ISB
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥ VIH or ≤ VIL
—
Pipeline
IDD
85
90
85
90
85
90
mA
Flow Through
IDD
60
65
60
65
60
65
mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS8161EV32BD-200 512K X 32 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
GS8161Z18DGD-200IVT 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PBGA165
GS8161Z18DT-250IV 1M X 18 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100
GS8161Z18DT-200T 1M X 18 ZBT SRAM, 6.5 ns, PQFP100
GS816218 1M x 18, 512K x 36 18Mb S/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS816136D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816136D) 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:1M x 18, 512K x 32, 512K x 36 18Mb Sync Burst SRAMs
GS816136D-133 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:165 Bump BGA?x18 Commom I/O?Top View (Package D)
GS816136D-133I 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:165 Bump BGA?x18 Commom I/O?Top View (Package D)
GS816136D-150 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:165 Bump BGA?x18 Commom I/O?Top View (Package D)
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