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參數(shù)資料
| 型號： | DA28F160S5-70 |
| 廠商： | INTEL CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 Characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| 中文描述： | 2M X 8 FLASH 5V PROM, 70 ns, PDSO56 |
| 封裝： | 16 X 23.70 MM, SSOP-56 |
| 文件頁數(shù)： | 22/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 1220K |
| 代理商： | DA28F160S5-70 |
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28F160S5, 28F320S5
E
22
ADVANCE INFORMATION
4.2.6
DEVICE GEOMETRY DEFINITION
This field provides critical details of the flash device
geometry.
Table 10. Device Geometry Definition
Offset
Length
(bytes)
Description
28F32/160S5
27h
01h
Device Size = 2
N
in Number of Bytes
27:
0015h
(16 Mbit)
27: 0016h
(32 Mbit)
28h
02h
Flash Device Interface Description
value
meaning
0002h
x8/x16 asynchronous
28:
29:
0002h
0000h
2Ah
02h
Maximum Number of Bytes in Write Buffer = 2
N
2A:
2B:
0005h
0000h
2Ch
01h
Number of Erase Block Regions within Device:
bits 7
–0 = x
= # of Erase Block Regions
2C:
0001h
2Dh
04h
Erase Block Region Information
bits 15–0 = y
, Where y+1 = Number of Erase Blocks of
Identical Size within Region
bits 31–16 = z
, Where the Erase Block(s) within This
Region are (z)
×
256 Bytes
y:
32 Blocks
(16 Mbit)
001Fh
0000h
2D:
2E:
y: 64 Blocks
(32 Mbit)
2D: 003Fh
2E: 0000h
z:
2F:
30:
(64-KB)
0000h
0001h
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| DA30 | DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|36V V(BO) MAX|100A I(S)|DO-204AL |
| DA60 | DIAC (BIDIRECTIONAL DIODE THYRISTOR)|70V V(BO) MAX|100A I(S)|DO-204AL |
| DA3N | COMMON ANODE DIODE ARRAY|SIP |
| DA4N | COMMON ANODE DIODE ARRAY|SIP |
| DA4P | COMMON CATHODE DIODE ARRAY|SIP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| DA28F320J5-120 | 制造商:Intel 功能描述: 制造商:Intel 功能描述:NOR Flash, 2M x 16, 56 Pin, Plastic, SOP |
| DA28F320J5A120 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| DA28F320J5A-120 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:5 Volt Intel StrataFlash? Memory |
| DA28F320S5-110 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
| DA28F320S5-90 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY |
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