參數(shù)資料
型號(hào)： CY7C1380D
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM(18-Mb (512K x 36/1M x 18)管道式SRAM)
中文描述： 18兆位（為512k × 36/1M × 18）流水線的SRAM（18 - MB的（為512k × 36/1M × 18）管道式的SRAM）
文件頁數(shù)： 9/30頁
文件大?。?/td> 554K
代理商： CY7C1380D
CY7C1380D
CY7C1382D
Document #: 38-05543 Rev. *D
Page 9 of 30
WRITE Cycle, Begin Burst
READ Cycle, Begin Burst
READ Cycle, Begin Burst
READ Cycle, Continue Burst
READ Cycle, Continue Burst
READ Cycle, Continue Burst
READ Cycle, Continue Burst
WRITE Cycle, Continue Burst
WRITE Cycle, Continue Burst
READ Cycle, Suspend Burst
READ Cycle, Suspend Burst
READ Cycle, Suspend Burst
READ Cycle, Suspend Burst
WRITE Cycle, Suspend Burst
WRITE Cycle, Suspend Burst
External
External
External
Next
Next
Next
Next
Next
Next
Current
Current
Current
Current
Current
Current
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
D
Q
Tri-State
Q
Tri-State
Q
Tri-State
D
D
Q
Tri-State
Q
Tri-State
D
D
Truth Table for Read/Write
[5,9]
Function (CY7C1380D)
GW
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
L
BWE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
BW
D
X
H
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
L
L
L
L
X
BW
C
X
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
X
BW
B
X
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
H
H
L
L
X
BW
A
X
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
X
Read
Read
Write Byte A – (DQ
A
and DQP
A
)
Write Byte B – (DQ
B
and DQP
B
)
Write Bytes B, A
Write Byte C – (DQ
C
and DQP
C
)
Write Bytes C, A
Write Bytes C, B
Write Bytes C, B, A
Write Byte D – (DQ
D
and DQP
D
)
Write Bytes D, A
Write Bytes D, B
Write Bytes D, B, A
Write Bytes D, C
Write Bytes D, C, A
Write Bytes D, C, B
Write All Bytes
Write All Bytes
Note:
9. Table only lists a partial listing of the byte write combinations. Any combination of BW
X
is valid. Appropriate write will be done based on which byte write is active.
Truth Table
[3, 4, 5, 6, 7, 8]
(continued)
Operation
Add. Used
CE
1
CE
2
CE
3
ZZ
ADSP
ADSC
ADV
WRITE
OE CLK
DQ
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1381D 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100AXC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100AXI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100BGC 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
CY7C1381D-100BGI 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1380D-133AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1380D-133AXCT 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1380D-167AXC 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 512Kx36 3.3V COM 1CD Sync PL 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1380D-167AXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC SRAM 18MBIT PARALLEL 3.4NS TQFP100 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:IC, SRAM, 18MBIT, PARALLEL 3.4NS TQFP100
CY7C1380D-167AXCB 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
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