參數(shù)資料
型號： CY7C1313BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）
文件頁數(shù)： 4/28頁
文件大?。?/td> 459K
代理商： CY7C1313BV18
CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 4 of 28
Pin Configurations
CY7C1311BV18 (2M x 8)
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165-ball FBGA (13 x 15 x 1.4 mm) Pinout
CY7C1911BV18 (2M x 9)
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
CY7C1315BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM)
CY7C1318AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）)
CY7C1316AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY7C1313BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-167BZXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1313BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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