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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1313BV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
| 中文描述： | 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 23/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 459K |
| 代理商： | CY7C1313BV18 |
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CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 23 of 28
t
CQOH
t
CHCQX
Echo Clock Hold after C/C
Clock Rise
Echo Clock High to Data
Valid
Echo Clock High to Data
Invalid
Clock (C/C)
Rise to High-Z
(Active to High-Z)
[28, 29]
Clock (C/C) Rise to
Low-Z
[28, 29]
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
t
CQD
t
CQHQV
0.27
0.27
–
0.30
–
0.35
–
0.40
ns
t
CQDOH
t
CQHQX
–0.27
–
–0.27
–
–0.30
–
–0.35
–
–0.40
–
ns
t
CHZ
t
CHQZ
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.45
–
0.50
ns
t
CLZ
t
CHQX1
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.45
–
–0.50
–
ns
DLL Timing
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
t
KC Var
t
KC lock
t
KC Reset
Clock Phase Jitter
DLL Lock Time (K, C)
K Static to DLL Reset
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
–
0.20
–
ns
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
1024
30
Cycles
ns
Notes:
28.t
, t
, are specified with a load capacitance of 5 pF as in (b) of AC Test Loads. Transition is measured
±
100 mV from steady-state voltage.
29.At any given voltage and temperature t
CHZ
is less than t
CLZ
and t
CHZ
less than t
CO
.
Switching Characteristics
Over the Operating Range
[24,26]
(continued)
Cypress
Parameter
Consortium
Parameter
Description
300 MHz
Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max. Min. Max.
278 MHz
250 MHz
200 MHz
167 MHz
Unit
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1315BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
| CY7C1318AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）) |
| CY7C1316AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1316AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1313BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-167BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1313BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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