型號: | CY7C1313BV18 |
廠商: | Cypress Semiconductor Corp. |
英文描述: | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
中文描述: | 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)(4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM) |
文件頁數(shù): | 14/28頁 |
文件大?。?/td> | 459K |
代理商: | CY7C1313BV18 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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CY7C1315BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
CY7C1318AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM(2-Word Burst結(jié)構(gòu))) |
CY7C1316AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1316AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
CY7C1318AV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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CY7C1313BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1313BV18-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1313BV18-167BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
CY7C1313BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
CY7C1313BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲(chǔ)容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時(shí)間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |