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參數(shù)資料
| 型號： | CY7C1313BV18 |
| 廠商： | Cypress Semiconductor Corp. |
| 英文描述： | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
| 中文描述： | 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構(gòu)（4字突發(fā)結(jié)構(gòu),18 - Mbit的QDR - II型的SRAM） |
| 文件頁數(shù)： | 17/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 459K |
| 代理商： | CY7C1313BV18 |
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CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 17 of 28
Identification Register Definitions
Instruction Field
Revision Number (31:29)
Value
Description
Version
number.
CY7C1311BV18
000
CY7C1911BV18
000
CY7C1313BV18
000
CY7C1315BV18
000
Cypress Device ID (28:12) 11010011011000101 11010011011001101 11010011011010101 11010011011100101 Defines the
type of SRAM.
Allows unique
identification of
SRAM vendor.
Indicates the
presence of an
ID register.
Cypress JEDEC ID (11:1)
00000110100
00000110100
00000110100
00000110100
ID Register Presence (0)
1
1
1
1
Scan Register Sizes
Register Name
Instruction
Bypass
ID
Boundary Scan
Bit Size
3
1
32
107
Instruction Codes
Instruction
Code
000
001
Description
EXTEST
IDCODE
Captures the Input/Output ring contents.
Loads the ID register with the vendor ID code and places the register
between TDI and TDO. This operation does not affect SRAM operation.
Captures the Input/Output contents. Places the boundary scan register
between TDI and TDO. Forces all SRAM output drivers to a High-Z
state.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Captures the Input/Output ring contents. Places the boundary scan
register between TDI and TDO. Does not affect the SRAM operation.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Do Not Use: This instruction is reserved for future use.
Places the bypass register between TDI and TDO. This operation does
not affect SRAM operation.
SAMPLE Z
010
RESERVED
SAMPLE/PRELOAD
011
100
RESERVED
RESERVED
BYPASS
101
110
111
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CY7C1315BV18 | 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結(jié)構(gòu),18-Mbit QDR-II SRAM) |
| CY7C1318AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結(jié)構(gòu)）) |
| CY7C1316AV18 | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1316AV18-167BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
| CY7C1318AV18-200BZC | 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CY7C1313BV18-167BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-167BZCT | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-167BZXC | 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述: |
| CY7C1313BV18-200BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
| CY7C1313BV18-250BZC | 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray |
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