參數資料
型號： CY7C1313BV18
廠商： Cypress Semiconductor Corp.
英文描述： 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結構,18-Mbit QDR-II SRAM)
中文描述： 18兆位QDR - II型SRAM的4字突發(fā)架構（4字突發(fā)結構,18 - Mbit的QDR - II型的SRAM）
文件頁數： 25/28頁
文件大?。?/td> 459K
代理商： CY7C1313BV18
CY7C1311BV18
CY7C1911BV18
CY7C1313BV18
CY7C1315BV18
Document Number: 38-05620 Rev. *C
Page 25 of 28
Ordering Information
Not all of the speed, package and temperature ranges are available. Please contact your local sales representative or
visit
www.cypress.com
for actual products offered.
Speed
(MHz)
Ordering Code
Diagram
167
CY7C1311BV18-167BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1911BV18-167BZC
CY7C1313BV18-167BZC
CY7C1315BV18-167BZC
CY7C1311BV18-167BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1911BV18-167BZXC
CY7C1313BV18-167BZXC
CY7C1315BV18-167BZXC
CY7C1311BV18-167BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1911BV18-167BZI
CY7C1313BV18-167BZI
CY7C1315BV18-167BZI
CY7C1311BV18-167BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1911BV18-167BZXI
CY7C1313BV18-167BZXI
CY7C1315BV18-167BZXI
200
CY7C1311BV18-200BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1911BV18-200BZC
CY7C1313BV18-200BZC
CY7C1315BV18-200BZC
CY7C1311BV18-200BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1911BV18-200BZXC
CY7C1313BV18-200BZXC
CY7C1315BV18-200BZXC
CY7C1311BV18-200BZI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1911BV18-200BZI
CY7C1313BV18-200BZI
CY7C1315BV18-200BZI
CY7C1311BV18-200BZXI
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1911BV18-200BZXI
CY7C1313BV18-200BZXI
CY7C1315BV18-200BZXI
250
CY7C1311BV18-250BZC
51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm)
CY7C1911BV18-250BZC
CY7C1313BV18-250BZC
CY7C1315BV18-250BZC
CY7C1311BV18-250BZXC 51-85180 165-ball Fine Pitch Ball Grid Array (13 x 15 x 1.4 mm) Lead-Free
CY7C1911BV18-250BZXC
CY7C1313BV18-250BZXC
CY7C1315BV18-250BZXC
Package
Package Type
Operating
Range
Commercial
Industrial
Commercial
Industrial
Commercial
相關PDF資料
PDF描述
CY7C1315BV18 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture(4字Burst結構,18-Mbit QDR-II SRAM)
CY7C1318AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture(18-Mb DDR-II SRAM（2-Word Burst結構）)
CY7C1316AV18 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1316AV18-167BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
CY7C1318AV18-200BZC 18-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture
相關代理商/技術參數
參數描述
CY7C1313BV18-167BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-167BZCT 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-167BZXC 制造商:Cypress Semiconductor 功能描述:
CY7C1313BV18-200BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
CY7C1313BV18-250BZC 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 1Mx18 1.8V COM QDR II 靜態(tài)隨機存取存儲器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*