- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄378988 > CXK77B1841AGB (Sony Corporation) 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | CXK77B1841AGB |
| 廠商： | Sony Corporation |
| 英文描述： | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| 中文描述： | 4Mb的后寫入LVTTL高速同步SRAM（128K的x 36Bit）（4分位，寫延遲，LVTTL高速同步靜態(tài)隨機存儲器（128K的× 36位）） |
| 文件頁數(shù)： | 5/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 222K |
| 代理商： | CXK77B1841AGB |
第1頁第2頁第3頁第4頁當前第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁
4Mb, Sync LW, LVTTL, rev 1.2
5 / 28
September 24, 1998
SONY
CXK77B3641AGB / CXK77B1841AGB
Preliminary
Address
Write Pulse
128K x 36
or
256K x 18
Dout
Din
2:1
Mux
Output
Latch
Reg.
2:1
Mux
Reg.
^
Kint
Write
Store
Reg.
Read
Comp.
Reg.
^
Kint
Reg.
^
Kint
Reg.
^
Kint
Self
Time
Write
Logic
Output
Clock
Mode
Control
SA
SS
SW
SBW
K/K
M1
M2
G
DQ
BLOCK DIAGRAM
Kint
Input
Clock
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| CXK77B3641AGB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAMs (128K x 36Bit)(4M位、寫延遲、高速邏輯收發(fā)（HSTL）、高速同步靜態(tài)RAM (128K x 36位)) |
| CXK77B1841GB | 4Mb Late Write LVTTL High Speed Synchronous SRAM (256K x 18Bit)(4M位、寫延遲、LVTTL高速同步靜態(tài)RAM (256K x 18位)) |
| CXK77B3611AGB- | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-5 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3611AGB-6 | High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| CXK77B1841GB-5 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B1841GB-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x18 Fast Synchronous SRAM |
| CXK77B3610AGB-5R | 制造商:Sony Batteries 功能描述:77B3610AGB-5R |
| CXK77B3610GB- | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
| CXK77B3610GB-6 | 制造商:SONY 制造商全稱:Sony Corporation 功能描述:High Speed Bi-CMOS Synchronous Static RAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。