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- IRFP460 場效應(yīng)管 MOSFET N TO-247 進(jìn)口VISHAY
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管
- 1-99 個(gè)
  
  ￥4.90
- ≥100 個(gè)
  
  ￥4.85
- 詢價(jià)
- SI3433DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY威世
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3433DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-4.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：威世m(xù)os管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.60
- 詢價(jià)
- SI3441DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -20V -3.3A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號:SI3441DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 3a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.70
- 詢價(jià)
- SI1023X/復(fù)合雙P溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 390mA SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1023X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mosfet場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.55
- 詢價(jià)
- V30324-T1-E3/雙N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 0.7A/SOT-363/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:V30324-T1-E3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DUAL/配對管 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- SI3948DV/復(fù)合場效應(yīng)管MOSFET 雙N溝道 30V 2.5A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:SILICON | 型號:SI3948DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：雙mos管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.65
- 詢價(jià)
- SI3442DV-T1/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3442DV-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:2W | 最大漏極電流ID:4A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： s1場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.80
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口IRFP264PBF VISHAY MOS場效應(yīng)管250V32A N溝道
  
  品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP264NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp250場效應(yīng)管 mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- 10-49 個(gè)
  
  ￥6.00
- 50-99 個(gè)
  
  ￥5.80
- ≥100 個(gè)
  
  ￥5.70
- 詢價(jià)
- MOS場效應(yīng)管 IRFP460PBF IRFP460 封裝TO-220F 進(jìn)口VISHAY
  
  應(yīng)用范圍:放大 | 品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRFP460PBF | 封裝形式:TO-220
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場效應(yīng)管 mos場效應(yīng)管
- ≥1 PCS
  
  ￥5.20
- 詢價(jià)
- SI2302CDS/N溝道場效應(yīng)管MOS 20V 2.9A SOT-23/DC-DC轉(zhuǎn)換/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302CDS-T1-GE3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:DC/直流 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： si2302場效應(yīng)管 mos場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SI2302DS/N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2302DS | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:2.8A | 最大源漏電壓VDSS:20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.30
- 詢價(jià)
- SI2303DS/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET 30V 1.7A SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2303DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： mos場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.35
- 詢價(jià)
- SI1025X/復(fù)合雙管場效應(yīng)管MOS P溝道 -60V -0.2A SOT-563/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI1025X | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:TR/激勵(lì)、驅(qū)動(dòng) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品：復(fù)合mos管 mos場效應(yīng)管復(fù)合場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.38
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口Vishay威世通MOSFET場效應(yīng)管IRFP460,500V，20A
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:IRFP460 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:TO-247-3 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： irfp460場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管
- ≥50 個(gè)
  
  ￥4.95
- 詢價(jià)
- SI8902EDB/雙向N溝道場效應(yīng)管MOSFET 20V 5A 2X3 6-MFP/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI8902EDB | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥2.80
- 詢價(jià)
- SI3495DV/20V 5.3A/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3495DV | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1.1W | 最大漏極電流ID:-5.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.20
- 詢價(jià)
- SI3447DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -12V -5.2A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3447DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.75
- 詢價(jià)
- SI3445DV/P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET -8V -5.6A SOT-163/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI3445DV | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 5a場效應(yīng)管 mosfet場效應(yīng)管 p場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.68
- 詢價(jià)
- SI2306DS-T1/30V N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管MOSFET/SOT-23/VISHAY
  
  品牌:Vishay/威世通 | 型號:SI2306DS-T1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UNI/一般用途 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:1.25W | 最大漏極電流ID:3.5A | 最大源漏電壓VDSS:30V
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： n溝道m(xù)os管 mosfet場效應(yīng)管 n溝道場效應(yīng)管
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥0.40
- 詢價(jià)
- SI2306DS VISHAY威士貼片低壓場效應(yīng)管
  
  品牌:VISHAY威士 | 型號:SI2306DS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
  
  相產(chǎn)產(chǎn)品： 2306場效應(yīng)管貼片場效應(yīng)管低壓場效應(yīng)管
- 詢價(jià)