品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:H15R1203 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
10-999 個
¥1.50
≥1000 個
¥1.35
類型:電源模塊 | 品牌:FREESCALE/飛思卡爾 | 型號:HGTG27N120BN | 功率:1 | 封裝:T0-247 | 批號:11 | 輸入電壓:1 | 輸出電壓:1
≥1 個
¥38.00
≥1 個
¥15.00
種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G23N60UFD
≥50 PCS
¥0.10
應用范圍:功率 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G40N150D | 封裝形式:TO-3P
≥1 個
¥15.00
應用范圍:差分 | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:三極管
1-9 PCS
¥16.83
10-99 PCS
¥16.06
≥100 PCS
¥15.30
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRF3415PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝/規(guī)格:TO-220/N溝道 150V 43A | 原裝正品:原裝正品
10-99 個
¥6.50
100-1999 個
¥5.68
≥2000 個
¥3.98
類型:其他IC | 品牌:FUJI/富士通 | 型號:1MBH60D-100 | 封裝:1MBH60D-100 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型
1-9 個
¥25.00
≥10 個
¥23.00
品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:FQU1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥1 個
¥0.50
種類:場效應管 | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號:G23N60UFD
≥50 PCS
¥3.80
品牌:HX | 型號:9N90C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
≥1000 個
¥3.50
類型:其他IC | 品牌:NXP/恩智浦 | 型號:PSMN015-110P | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 最大漏極電流:1 | 封裝形式:TO-220 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 溝道類型:N溝道 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 導電方式:增強型 | 應用范圍:功率
≥1 個
¥2.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:G7PH35UD1-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:耗盡型 | 用途:ZF/中放 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷
≥10 個
¥12.00
品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號:IHW30N120R2 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:硅(Si) | 加工定制:否 | 應用范圍:功率
≥3000 個
¥16.00
品牌:IR/國際整流器 | 型號:IRG4PF50WD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導電方式:增強型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 最大漏極電流:0 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
≥10 個
¥5.00
類型:其他IC | 品牌:TOSHIBA/東芝 | 型號:GT15J331 | 功率:原廠規(guī)格 | 用途:其他 | 封裝:TO263 | 批號:N/A
5-99 個
¥6.00
≥100 個
¥4.50