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- AP9962AGH貼片場(chǎng)效應(yīng)管
  
  品牌:RS | 型號(hào):AP9962AGH | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:& | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- 詢價(jià)
- IGBT晶體管20kw超高頻感應(yīng)加熱機(jī)，高頻熱處理淬火機(jī)
  
  加工定制:否 | 品牌:聚力GL | 型號(hào):GUF-20B-300k | 材質(zhì):金屬外殼 | 最大電壓:550V（V） | 主要用途:熱處理，退火，表面淬火 | 最大輸入有效功率:20kw | 最大輸入電流:30A
- ≥1 臺(tái)
  
  ￥25000.00
- 詢價(jià)
- IR21064S IR系列場(chǎng)效應(yīng)管 SOP-14 為
  
  品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IR21064S | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:AM/調(diào)幅 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 屬性:屬性值
- 5-99 件
  
  ￥3.00
- ≥100 件
  
  ￥2.00
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管10N60 MOS管WGF10N60 TO-220F 2015
  
  品牌:WG | 型號(hào):10N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MIN/微型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 耐壓:600V | 電流:10A
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.40
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口W60N10.70N10.70N15.75N15場(chǎng)效應(yīng)管 IGBT管
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):W60N10 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-INM/獨(dú)立組件 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥100 個(gè)
  
  ￥1.70
- 詢價(jià)
- MOS場(chǎng)效應(yīng)管P55NF06 STP55NF06 50A 60V TO-220
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):P55NF06 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極 | 備注:ST全新原裝正品 | 產(chǎn)地:菲律賓/中國(guó) | 年份:2012
- ≥2000 個(gè)
  
  ￥0.92
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管1N60 TO-251 WG1N60/WG 威思頓 2015正量
  
  品牌:威思頓 | 型號(hào):1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- 威思頓WG場(chǎng)效應(yīng)管1N60 TO-251 WGU1N60 2015正量
  
  品牌:威思頓 | 型號(hào):WGU1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥0.48
- 詢價(jià)
- 場(chǎng)效應(yīng)管STD155N3H6
  
  品牌:ST/意法 | 型號(hào):STD155N3H6 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:IGBT絕緣柵比極
- ≥50 個(gè)
  
  ￥1.50
- 詢價(jià)
- SKW30N60HS 英飛凌IGBT晶體管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SKW30N60HS | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥1000 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- IGBT場(chǎng)效應(yīng)管FDA50N50 50N50 50A500V 仙童
  
  類型:通信IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDA50N50 | 封裝:TO-3P | 批號(hào):12
- 詢價(jià)
- IHW30N60T IGBT 晶體管
  
  種類:IGBT 晶體管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW30N60T
- ≥10 PCS
  
  ￥25.00
- 詢價(jià)
- IHW20N120R IGBT 晶體管
  
  種類:場(chǎng)效應(yīng)管 | 品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):IHW20N120R
- ≥10 PCS
  
  ￥23.00
- 詢價(jià)
- IGBT晶體管_FGL40N120，仙童
  
  類型:其他IC | 品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGL40N120 | 封裝:TO-264 | 批號(hào):11+
- 詢價(jià)
- 仙童進(jìn)口IGBT晶體管FGL40N120AND
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGL40N120AND | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:UHF/超高頻 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷 | 類型:其他IC
- ≥375 個(gè)
  
  ￥18.30
- 詢價(jià)
- 仙童進(jìn)口IGBT晶體管FGL60N100BNTD
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FGL60N100BNTD | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥10 個(gè)
  
  ￥10.30
- 詢價(jià)
- 仙童進(jìn)口IGBT晶體管SGH80N60UFD
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGH80N60UFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥450 個(gè)
  
  ￥13.50
- 詢價(jià)
- SGP30N60 英飛凌IGBT晶體管
  
  品牌:INFINEON/英飛凌 | 型號(hào):SGP30N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- SGP23N60UF FAIRCHILD仙童IGBT晶體管
  
  品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGP23N60UF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道
- ≥3000 個(gè)
  
  ￥1.00
- 詢價(jià)
- 進(jìn)口IKW25N120/IGBT 晶體管
  
  類型:其他IC | 品牌:仙童 | 型號(hào):IKW25N120 | 功率:- | 用途:儀器 | 特色服務(wù):- | 封裝:TO-3P | 批號(hào):12+
- ≥10 PCS
  
  ￥6.00
- 詢價(jià)

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