類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF840PBF | 功率:1 | 用途:電視機(jī) | 封裝:TO220 | 批號(hào):1510+

品牌:SEMELAB | 型號(hào):D1028UK | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:HF/高頻(射頻)放大 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:0.25 | 跨導(dǎo):0.125 | 開(kāi)啟電壓:28 | 夾斷電壓:14 | 低頻噪聲系數(shù):12 | 極間電容:0.45 | 最大耗散功率:300

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460APBF | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:ALGaAS鋁鎵砷

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF5210PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET)，絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道，N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型，增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大，L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插，CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道，N-FET硅N溝道 | 批號(hào):10+ | 封裝:TO-220

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF6645 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 材料:N-FET硅N溝道

加工定制:是 | 品牌:高裕電子 | 型號(hào):OPL-300W-NPN，OPL-300W-MOS | 類型:電子元器件可靠性試驗(yàn)設(shè)備 | 材質(zhì):核心元件采用高精高可靠的進(jìn)口產(chǎn)品 | 溫度范圍:室溫~50（℃） | 功率:6K（W） | 工作室尺寸:直徑600mm圓形散熱平臺(tái)（mm） | 電源:380 | 適用范圍:大功率三極管、mos管壽命老化試驗(yàn)

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP264PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批次:12+ | 封裝:TO-247

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FDPF18N50 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-ARR/陳列組件 | 封裝外形:LLCC/無(wú)引線陶瓷片載 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:ON/安森美 | 型號(hào):NTR1P02LT1 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:0.4W | 最大漏極電流ID:-1.3A | 最大源漏電壓VDSS:-20V

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW8NB90 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 最大漏極電流:8 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:900 | 夾斷電壓:30 | 低頻噪聲系數(shù):V | 極間電容:1 | 最大耗散功率:160

品牌:ST/意法 | 型號(hào):STW8NC90Z | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:SB肖特基勢(shì)壘柵 | 最大漏極電流:7.5 | 跨導(dǎo):1 | 開(kāi)啟電壓:900 | 夾斷電壓:30 | 低頻噪聲系數(shù):V | 極間電容:1 | 最大耗散功率:160

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP4004PBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):SGH15N60RUFD | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:33 | 截止頻率fT:33

品牌:FAIRCHILD/仙童 | 型號(hào):FQPF47P06 47P06 | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 集電極最大允許電流ICM:A | 封裝形式:直插型 | 截止頻率fT:MHZ

品牌:PIP | 型號(hào):PSA04N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開(kāi)關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 功率:4A 650V | 針腳數(shù):3 | 封裝:TO-220F

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP250NPBF | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF9Z34N | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 批號(hào):新年份環(huán)保無(wú)鉛

品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFP460LC | 種類:結(jié)型(JFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:N-FET硅N溝道