品牌:Directed美國 | 型號:4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-1999 個(gè)
¥0.02
≥2000 個(gè)
¥0.01
品牌:華晶 | 型號:CS4N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥100 千克
¥0.78
品牌:華晶 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:保護(hù)器件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:硅(Si)
≥50000 個(gè)
¥0.50
品牌:華晶 | 型號:2N65 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵 | 最大漏極電流:1 | 低頻噪聲系數(shù):1 | 極間電容:1
≥100 千克
¥0.70
≥1000 個(gè)
¥0.91
品牌:華晶 | 型號:CS4N60A3HD (T0-251) 華晶 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.83
應(yīng)用范圍:光敏 | 品牌:華晶 | 型號:CS2N60 | 材料:硅(Si) | 封裝形式:TO-251 | 產(chǎn)品性質(zhì):優(yōu)勢 | 營銷方式:原廠直銷 | 批號:全新
品牌:TRA美國晶體管 | 型號:ITA02N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥0.10
品牌:TRA美國晶體管 | 型號:ITU02N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 場效應(yīng)管:TO-251/TO-252
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:TRA美國晶體管 | 型號:IPS10N60C | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道 | 場效應(yīng)管:10N60
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:華晶 | 型號:國產(chǎn)拆機(jī)20N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 材料:N-FET硅N溝道
1000-4999 件
¥0.62
≥5000 件
¥0.60
品牌:美國IPS | 型號:ITA13N60A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:SW-REG/開關(guān)電源 | 封裝外形:P-DIT/塑料雙列直插 | 材料:N-FET硅N溝道
≥1000 個(gè)
¥1.20
品牌:華晶 | 型號:2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:GE-N-FET鍺N溝道 | 參數(shù):2A600V
≥1000 個(gè)
¥0.58
品牌:華晶 | 型號:CS100N03B4 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:CC/恒流 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 最大漏極電流:100000 | 低頻噪聲系數(shù):0 | 極間電容:0
≥1000 個(gè)
¥1.00
品牌:華晶,SKY,WILL | 型號:1N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:A/寬頻帶放大 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥1000 個(gè)
¥0.37
品牌:華晶 | 型號:CS2N60 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-FBM/全橋組件 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:GaAS-FET砷化鎵
≥100 千克
¥0.45
品牌:華晶 | 型號:CS3N50B3 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型 | 用途:L/功率放大 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 封裝:TO-251
≥1000 個(gè)
¥0.78