品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):CPH3327-TL-E | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:P-FET硅P溝道 | 最大耗散功率PD:1W | 最大漏極電流ID:-0.6A | 最大源漏電壓VDSS:-100V
≥3000 個(gè)
￥0.40
品牌:仙童 | 型號(hào):FQD12P10 100V 12A | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:P溝道 | 導(dǎo)電方式:耗盡型
≥1000 個(gè)
￥0.90
類型:驅(qū)動(dòng)IC | 品牌:LN2547 | 型號(hào):LN2547 | 功率:10 | 驅(qū)動(dòng)芯片類型:自行車燈 | 針腳數(shù):8 | 用途:閃燈 | 封裝:SOP8 | 批號(hào):14+
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRF530N | 功率:. | 用途:HA/行輸出級(jí) | 封裝:to220 | 批號(hào):. | 封裝形式:直插型 | 集電極最大允許電流ICM:17 | 封裝外形:CER-DIP/陶瓷直插
≥100 個(gè)
￥1.25
品牌:Sanyo/三洋 | 型號(hào):2SK2911 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:S/開(kāi)關(guān) | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 材料:N-FET硅N溝道 | 最大耗散功率PD:0.25W | 最大漏極電流ID:0.25A | 最大源漏電壓VDSS:100V
≥3000 個(gè)
￥0.43
類型:其他IC | 品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFR120N | 功率:. | 用途:UNI/一般用途 | 封裝:SOT252 | 封裝外形:SMD(SO)/表面封裝 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 屬性:.
≥1000 個(gè)
￥1.05
品牌:IR/國(guó)際整流器 | 型號(hào):IRFB4410，IRFS4410，IRFSL4410 | 種類:絕緣柵(MOSFET) | 溝道類型:N溝道 | 導(dǎo)電方式:增強(qiáng)型 | 用途:MOS-HBM/半橋組件 | 封裝外形:CHIP/小型片狀 | 材料:MES金屬半導(dǎo)體
≥10 個(gè)
￥8.00